用超磁致伸缩薄膜（Ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ, ＧＭＦ）开发的微传感执行器件具有体积小、性能稳定、可靠性高、驱动力大、高频响应快、灵敏度好等特点，易于实现相关器件的微型化、智能化和集成化，从而解决长期制约该领域发展的关键技术问题。因此，超磁致伸缩薄膜在微机械和微系统等工程领域应用中已成为重要的功能材料之一。
到目前为止，在可用的磁致伸缩材料中，Ｆｅ-Ｇａ合金由于具有较好的综合性能，如适中的单晶磁致伸缩常数（约４００×１０－６），不含稀土元素，价格低廉，韧性很好，可以承受拉应力和剪应力，因而具有较大的应用优势，适用于压应力或拉应力条件且能承受震动的场合。由于块体Ｆｅ-Ｇａ合金材料本身的各向异性大，要获得大的磁致伸缩应变需要施加强的外加磁场，这对器件的小型化、集成化不利。而且，块体Ｆｅ-Ｇａ合金相对Ｆｅ-Ｇａ合金薄膜涡流损失较大，而纳米尺度的Ｆｅ-Ｇａ合金薄膜涡流损失就可以忽略不计。因此，对Ｆｅ-Ｇａ 超磁致伸缩薄膜的研究，尤其是在集成磁致伸缩装置的制造领域内，已日益受到人们的重视。
迄今为止，Ｆｅ-Ｇａ超磁致伸缩薄膜的制备方法仅限于物理气相沉积技术，用得最多的是磁控溅射，另外还有电子束蒸发、激光蒸发、离子束溅射等。由于镓是低熔点金属，不能采用传统的镓单质靶、铁单质靶多靶共溅射法制备各种成分的合金，只能采用马赛克靶（镶嵌靶）或者铁镓合金靶与铁单质靶共溅射法制备不同成分的Ｆｅ-Ｇａ合金薄膜。例如，在玻璃和钨基片上采用射频磁控溅射技术制备了 Ｆｅ-Ｇａ薄膜，所用的Ｆｅ-Ｇａ合金靶材固定成分为含Ｇａ １８.４％（原子分数），其余为Ｆｅ。通过改变溅射能量和气压可获得不同Ｇａ含量和不同厚度的Ｆｅ-Ｇａ薄膜。具有最大的磁致伸缩常数（１４７×１０－６）的薄膜成分和厚度分别为Ｆｅ７６.２Ｇａ２３.８和１４６.５ｎｍ。
目前，见诸报道的具有最大磁致伸缩常数的Ｆｅ-Ｇａ合金成分为Ｆｅ８１Ｇａ１９，其磁致伸缩常数可达４００×１０－６。有文献报道，在ＭｇＯ（１００）基片上通过直流磁控溅射法制备了厚９０ｎｍ的外延Ｆｅ８１Ｇａ１９薄膜，所用的合金靶为固定成分的Ｆｅ８１Ｇａ１９。
显微结构对超磁致伸缩薄膜薄膜的磁性能和磁致伸缩性能的影响显著。薄膜的应力状态可以通过调整薄膜制备工艺条件以及选择不同膨胀系数的基片加以调节，也可以通过后续热处理进行调整。制备磁致伸缩复合镀层是进一步提高磁致伸缩薄膜性能的一个可能的方向。
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